SJ 50033.121-1997 半导体分立器件CS3458～CS3460型硅N沟道结型场效应晶体管详细规范
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ID： |
49BC5A1351FB492E85541C57D933E5F3 |
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文件大小(MB)： |
0.5 |
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12 |
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日期： |
2024-7-27 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/121-97,半导体分立器件,CS3458-CS3460 型,硅N沟道结型场效应晶体管,详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type CS3458~CS3460,silicon N-channel junction mode field-effect transistors,1997.06J7发布1997-10-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,www. bzfxw. com 下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,CS3458.CS3460 型,硅N沟道结型场效应晶体管,详细规范,SJ 50033/121-97,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type CS3458~CS3460,silicon N-channel junction mode field-effect transistors,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 CS3458.CS3460型硅N沟道结型场效应晶体管（以下简称器件）的详细要,求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按照GJB 33 - 85《半导体分立器件总规范》1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特,军和超特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4586-94场效应晶体管测试方法,GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128--86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,中华人民共和国电子工业部1997-06-17发布 1997-10-01实施,—1 -,SJ 50033/121-97,3.2.1 引出端材料和镀涂层,引出端材料应为可伐。引出端表面镀涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端涂层要求选,择或另有要求时,在合同或订货单中应明确规定（见6.3）,3.2.2 器件结构,采用硅N沟道耗尽型结型结构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸按GB 7581中的A3-01B型及如下规定,见图1,B2—O1B,符2,min nom max,A 4.32 5.33,如2.54,1.01,防2 0.407 0.508,切5.31 5.84,初1 4.53 4.95,i 0.92 1.04 1.15,K 0.51 1.21,L 12.5 25.0,Li 1.27,引出端极性:1-S（源极） 2-D（漏极）3 - D（栅极）,图1外形尺寸图,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,儿」（Ta = 25匕）,mW,Vdc,V,vGS,V,1GF,mA,3,C,Tstg,300 50 - 50 50 200 - 55.200,注:1）77>25P时,按L7mW/K的速率线性降额,3.3.2 主要电特性（Ta = 25C）,2,SJ 50033/121-97,参 数,型 号,极限值,符 号测试条件最小值最大值,【dss mA Vds = 20V CS3458 3 15,vGS=0 CS3459 0.8 4,CS3460 0.2 1,Vgs(碉)V Vds = 20V CS3458 一-7.8,Id : 1四A CS3459 一-3.4,CS3460 一-1.8,vn戸/屈310 V CS3458 一225,Vgs 二 0 CS3459 — 155,片 20Hz CS3460 一155,1 Y21sl ms Vds=20V CS3458 2.5 10,vGS=0 CS3459 1.5 6,/=ikHz CS3460 0.8 4.5,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 4586及本规范的规定,3.5 标志,标志应符合GJB 33的规定,4质量保证规定,4.!抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定进行,其测试应按本规范表1的规定进行,超过本,规范表1极限值的器件应予剔除,筛 选,(GJB33 表 2),试验方法,方法号,GJB 128,条 件,GCT,要求,GT,要求,内部目检（封帽前） 2072 100% 100%,2高温寿命（LTPD） 1032 % = 200t">24h 100% 100%,3热冲击,（温度循环）,1051 除低温应为ー55匕,循环20次,，（极限值）〉,lOmin外,其余同试验条件C,25t时不要求有规,则的停顿,100% 100%,3,SJ 50033/121-97,续表,筛 选,(GJB 33 表 2),试验方法,方法号,GJB 128,条 件,GCT,要求,GT,要求,4恒定加速度2006 Yi方向至少196000m/『（20000g）不采用1分钟,保持时间的要求,100% 100%,5密措不要求,6高温反偏不要求,7中间电参数测试，GSS⑴和，DSS同分组,1 丫215レ1）同A4分组,100%,100%,100%,100%,8老炼,（高温反偏）,1039 试验条件A,VGS= -40V, Kds = 0, TA=150'C)z>1……
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